Beschreibung
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande dénergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété dapplications et de systèmes de puissance. Dans ce travail on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés de différent constructeurs en raison délaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits délectronique de puissance de sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
Autorenporträt
Messaadi lotfi, né le 17 juin 1985 à Batna, Algérie, titulaire d'un diplôme d'ingénieur d'état en électronique option Contrôle et Magistère option Micro électronique, Université de Batna, Algérie, je travaille sur la modélisation, la simulation et l'optimisation des composants électronique de puissance à base de silicium et carbure de silicium.
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OmniScriptum SRL
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