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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor
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Reliability study of Semiconductor devices after accelerated ageing tests
| ISBN: | 365920062X |
|---|---|
| ISBN 13: | 9783659200625 |
| Autor: | Belaïd, Mohamed Ali |
| Verlag: | LAP LAMBERT Academic Publishing |
| Umfang: | 76 S. |
| Erscheinungsdatum: | 10.04.2015 |
| Auflage: | 1/2015 |
| Format: | 0.6 x 22 x 15 |
| Gewicht: | 131 g |
| Produktform: | Kartoniert |
| Einband: | Kartoniert |
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