Beschreibung
Since the advent of planar technology the literature on semi conductor devices has been growing exponentially. This book of over 14000 references is intended to make the world literature available to workers in the field (beginners as well as experienced) to assist them in finding out what has been done by others in their fields of endeavor. The literature on theory, preparation, properties, character ization, packaging, instrumentation and applications of semiconductor devices is thoroughly covered; the only aspect of preparation not covered is di ffusion. However, several books and comprehensive review articles on this subject are given in Chapter A. Radiation damage due to ion implantation is given in Chapter F. Radiation damage due to all other types of radiations is given in Chapter J. The chapters on processing technology, radiation damage, structural defects and analysis, modeling and packaging are quite general and apply to most types of semiconductor devices. Special attention is given to electrical properties and applications of FET, Schottky and charge-coupled devices in Chapters M, N, 0 and P.
Autorenporträt
InhaltsangabeA. Books and Review Articles (General).- I. Books.- II. Review Articles.- B. Crystal Growth and Wafer Preparation.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Automation.- V. Crystal Growth.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- 3. Group III-V Semiconductors.- 4. Group II-VI Semiconductors.- 5. Impurity Distribution.- 6. Equipment.- VI. Wafer Processing.- 1. Slicing.- 2. Polishing.- 3. Cleaning.- 4. Contamination.- 5. Holding/Positioning.- 6. Transport.- 7. Handling.- 8. Inspection.- 9. Others.- C. Epitaxy.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Automation.- V. Growth Kinetics.- VI. Homoepitaxy.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III-V Semiconductors.- a. General.- b. Gallium Arsenide.- c. Gallium Phosphide.- d. Indium Phosphide.- e. Ternaries.- f. Others.- 4. Group II-IV Semiconductors.- a. General.- b. Cadmium Telluride.- c. Cadmium Sulphide.- d. Ternaries.- e. Others.- VII. Autodoping.- VIII. Impurities.- 1. Profiles.- 2. Incorporation.- a. Group IV Semiconductors.- b. Group III-V Semiconductors.- IX. Heteroepitaxy.- 1. Semiconductor on Semiconductor.- 2. Semiconductor on Insulator.- X. Film Properties.- 1. Electrical.- 2. Optical.- 3. Structural.- 4. Morphology.- XI. Applications.- 1. Bipolar Transistors.- 2. P-N Junctions.- 3. LED.- 4. Lasers.- 5. IMPATT.- 6. Waveguides.- 7. Microwave Devices.- 8. Others.- D. Dielectric Thin Films.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Film Preparation.- 1. Equipments.- 2. Oxidation Kinetics.- 3. Techniques.- a. Thermal Oxidation.- b. Sputtering.- c. Pyrolitic (CVD).- d. Anodic.- e. Evaporation.- f. Others.- V. Physical Measurements.- 1. Structural Defects.- 2. Thickness.- 3. Contamination and Impurities.- VI. Film Properties.- 1. Optical.- 2. Ionic Diffusion.- 3. Charge Injection, Trapping and Storage.- 4. Pressure Sensitivity.- VII. Double Dielectric.- VIII. Dielectric-Metal Interface.- IX. Passivation and PSG.- E. Lithography.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Photoresist.- 1. General.- 2. Compositions.- a. Positive.- b. Negative.- 3. Processing.- a. Applying.- b. Exposure.- c. Developing.- d. Etching.- e. Removal.- 4. Properties.- a. Adhesion.- b. Resolution.- c. Spectral Sensitivity.- V. Electron Resist.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Processing.- 4. Properties.- VI. Other Resists.- 1. X-ray.- 2. Ion-beam.- 3. Laser and Holography.- VII. Masks.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Computer-Aided-Design (CAD).- 4. Fabrication.- 5. Alignment.- 6. Special Techniques.- 7. Properties.- 8. Defects and Inspection.- F. Ion Implantation.- I. Bibliographies.- II. Books and Symposia.- III. Review Articles.- IV. Theory.- V. Materials.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III-V Semiconductors.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 4. Group II-IV Semiconductors.- a. Cadmium Telluride.- b. Cadmium Sulphide.- c. Others.- 5. Dielectrics.- VI. Device Applications.- 1. General.- 2. P-N Junctions.- 3. Diodes.- a. Photodiodes.- b. LED.- c. Detectors.- d. IMPATT.- e. Schottky.- f. Others.- 4. Bipolar Transistors.- 5. Field-Effect Transistors.- a. MOSFET.- b. CMOSFET.- c. MNOSFET.- d. CCD.- 6. Resistors.- 7. Other Devices.- VII. Equipment.- 1. Accelerators.- 2. Ion Sources.- 3. Beam Focusing.- 4. Beam Profiling.- 5. Others.- G. Etching.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Equipment.- V. Techniques.- 1. Ion-Beam.- 2. Sputter.- 3. Plasma.- 4. Photo-etching.- 5. Chemical.- 6. Electrochemical.- 7. Others.- VI. Semiconductors.- 1. Group IV.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon Carbide.- 2. Group III-V.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 3. Group II-VI.- VII. Dielectrics.- 1. Silicon Dioxide.- 2. Silicon Nitride.- 3. Silicon Dioxide and Silicon Nitride.- 4.
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