Protonendotierung von Silizium

Lieferzeit: Lieferbar innerhalb 14 Tagen

69,99 €

inkl. 7 % MwSt. zzgl. Versandkosten

Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium

ISBN: 3658073896
ISBN 13: 9783658073893
Autor: Laven, Johannes G
Verlag: Springer Vieweg
Umfang: xvii, 314 S., 77 s/w Illustr., 314 S. 77 Abb.
Erscheinungsdatum: 21.10.2014
Auflage: 1/2014
Produktform: Kartoniert
Einband: KT

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets. Der Inhalt – Grundlagen der Protonendotierung Prozessierung und Charakterisierungsmethoden Ladungsträgerprofile und Parameterabhängigkeiten Strahlungsinduzierte Störstellen Modellierung  Die Zielgruppen – Dozierende und Studierende der Halbleiter- und Siliziumforschung und der Prozesstechnik Hersteller von Halbleiterbauelementen Der AutorJohannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.

Artikelnummer: 7433831 Kategorie:

Beschreibung

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Autorenporträt

Johannes G. Laven studierte Physik an der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster, ab 2007 forschte er an der Technischen Fakultät der Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg zum Thema Protonendotierung in kristallinem Silizium. Seit 2011 arbeitet er als Entwicklungsingenieur für IGBTs und Leistungsdioden bei einem führenden Halbleiterhersteller.

Das könnte Ihnen auch gefallen …