Beschreibung
Kristall 47 2. 6. 2. Beugung in Transmission. 51 2. 6. 3. EinfluB der Beugung auf die Riickstreuung. 54 Literatur zu § 2. 56 3.
Autorenporträt
Inhaltsangabe1. Einleitung.- 1.1. Prinzipielle Wirkungsweise und Betriebsarten eines Raster-Elektronen-mikroskopes (SEM).- 1.2. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit dem Lichtmikroskop und Transmissions-Elektronenmikroskop.- 1.3. Vergleich des Raster-Elektronenmikroskopes mit anderen Elektronen-Strahlgeräten.- Literatur zu § 1.- Monographien, Tagungsbände und Bibliographien.- 2. Wechselwirkung Elektron-Materie.- 2.1. Einleitung.- 2.2. Elektronenstreuung am Einzelatom.- 2.2.1. Elastische Streuung.- 2.2.2. Unelastische Streuung.- 2.3. Streuung in einer durchstrahlbaren Schicht.- 2.3.1. Winkelverteilung gestreuter Elektronen.- 2.3.2. Transmission als Funktion der Beobachtungsapertur.- 2.3.3. Ortsverteilung gestreuter Elektronen.- 2.3.4. Energieverteilung gestreuter Elektronen.- 2.4. Elektronendiffusion in kompaktem Material.- 2.4.1. Transmission und Reichweite.- 2.4.2. Ausdehnung der Diffusionswolke.- 2.4.3. Ionisationsdichte und Tiefendosiskurve.- 2.5. Rückstreuung und Sekundärelektronen-Emission.- 2.5.1. Definition und Messung dieser Größen.- 2.5.2. Rückstreukbeffizient einer dünnen Schicht, Austrittstiefe.- 2.5.3. Rückstreukoeffizient von kompaktem Material.- 2.5.4. Richtungs- und Energieverteilung rückgestreuter Elektronen.- 2.5.5. Ausbeute, Energie und Austrittstiefe der Sekundärelektronen.- 2.5.6. Beitrag der rückgestreuten Elektronen zur Sekundärelektronenausbeute.- 2.5.7. Rauschen der Sekundärelektronenemission.- 2.6. Ausbreitung der Elektronen in Kristallen.- 2.6.1. Das Elektronenwellenfeld in einem Kristall.- 2.6.2. Beugung in Transmission.- 2.6.3. Einfluß der Beugung auf die Rückstreuung.- Literatur zu § 2.- 3. Elektronenoptik, Aufbau und Funktion des Raster-Elektronenmikroskopes.- 3.1. Elektronenoptische Grundlagen.- 3.1.1. Elektronenstrahlerzeugung.- 3.1.2. Elektronenlinsen.- 3.1.3. Linsenfehler.- 3.1.4. Kleinster Durchmesser der Elektronensonde.- 3.1.5. Optimale Elektronenenergie.- 3.2. Abrasterung und Fokussierung.- 3.2.1. Erzeugung des Rasters.- 3.2.2. Schärfentiefe.- 3.2.3. Fokussierung und Astigmatismuskorrektur.- 3.3. Objektveränderungen durch Elektronenbeschuß.- 3.3.1. Kontamination.- 3.3.2. Objekterwärmung.- 3.3.3. Strahlenschäden.- 3.3.4. Aufladungserscheinungen.- 3.3.5. Beeinflussung integrierter Schaltungen durch den Elektronenstrahl.- 3.4. Objektkammer und Detektoren.- 3.4.1. Objekthalterung und-manipulation.- 3.4.2. Direkte Elektronenstrommessung.- 3.4.3. Szintillator-Photomultiplier-Kombination.- 3.4.4. Kanal-Sekundärelektronenvervielfacher.- 3.4.5. Halbleiter-Detektoren.- 3.4.6. Einfluß der Proben-Detektor-Geometrie.- 3.5. Elektronik und Bildaufzeichnung.- 3.5.1. Elektronische Signalverarbeitung.- 3.5.2. Einfluß der Zeilenstruktur auf das Bild.- 3.5.3. Aufzeichnung dynamischer Vorgänge.- 3.6. Spezielle Techniken der Raster-Elektronenmikroskopie.- 3.6.1. Spiegel-Raster-Elektronenmikroskopie.- 3.6.2. Mikrominiaturisierung mit einem Raster-Elektronenmikroskop.- Literatur zu § 3.- 4. Abbildung mit Sekundär-, Rückstreuelektronen und Probenströmen.- 4.1. Oberflächentopographie.- 4.1.1. Kontrast durch Flächenneigung (Reliefkontrast).- 4.1.2. Kontrast durch Abschattung.- 4.1.3. Kontrast durch erhöhte Emission an Kanten und durchstrahlbaren Objektstrukturen.- 4.2. Materialkontrast.- 4.2.1. Kontrast durch Variation des Rückstreukoeffizienten.- 4.2.2. Probenstrombild.- 4.3. Auflösungsgrenze und Informationstiefe.- 4.3.1. Auflösungsgrenze mit Sekundärelektronen.- 4.3.2. Abhängigkeit des Informationsvolumens von der Elektronenenergie.- 4.3.3. Verbesserung der Auflösung mit Rückstreuelektronen.- 4.4. Channelling-Diagramme und Kristallorientierungskontrast.- 4.4.1. Erzeugung der Channelling-Diagramme.- 4.4.2. Geometrie und Intensität der Channelling-Diagramme.- 4.4.3. Anwendung von Channelling-Diagrammen.- 4.4.4. Kristallorientierungskontrast.- 4.5. Abbildung und Messung elektrischer Potentiale.- 4.5.1. Entstehung des Potentialkontrastes im Sekundärelektronenbild.- 4.5.2. Quantitative Potentialmessung.- 4.5.3. Potentialk
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