Beschreibung
Es wurde eine rechnerische Berechnung der Energieverlust- und Schädigungsprofile bei der unabhängigen Implantation von Gallium- und Arsen-Ionen auf amorphes Germanium während der Ionenimplantation durchgeführt. Die erforderlichen Energien für die Dotierung von Gallium-Ion und Arsen-Ion auf Germanium, um maximale Schäden bei 600 Å zu erreichen, wurden mit SRIM berechnet. Diese Energien führen, wenn sie unabhängig voneinander auf Germanium implantiert werden, während des Kollisionsprozesses zur Erzeugung von Germanium-Rückstoßimpulsen, Leerraum-Zwischengitterpaaren und Phononen. Bei 130 keV Galliumion beträgt die für die Ionisierung, Phon-Erzeugung und Vakanzerzeugung verwendete Energie 37.713 keV (29,01%), 90.006 keV (64,29%) bzw. 8.71 keV (6,7%), während bei 140 keV Arsenion der Energieverbrauch für Ionisierung, Phon-Erzeugung und Vakanzerzeugung 39.634 keV (28,31%), 90.888 keV (64,92%) bzw. 9.478 keV (6,77%) beträgt. Das Ausmaß der Zielverschiebungen, Ersatzkollisionen und Leerstände werden ebenfalls bewertet.
Autorenporträt
Karan Giri hat sich an Forschungsarbeiten in der Physik beteiligt. Er hat drei Artikel in drei verschiedenen Online-Zeitschriften veröffentlicht, und einige Artikel werden derzeit überprüft. Außerdem schreibt er mit großem Enthusiasmus Physikbücher. Er hat an einem Physik-Buch für Studenten der Sekundarstufe gearbeitet.
