Beschreibung
Il est mis en évidence les limites et faiblesse de la modélisation continue et la nécessité dintroduire la simulation à léchelle atomique pour aider à mieux comprendre le mécanisme de formation des couches ultra minces aux premiers instants de croissance de lheterostructure. Différents mécanismes élémentaires et les énergies dactivation associées ont été introduits pour simuler les configurations choisies pour faire cette étude dans un système à grand nombre datomes. La validation de notre simulation sest effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à laide de la technique RHEED ou de la spectroscopie de photoémission synchrotron (XPS) et la microscopie à effet tunnel (STM) parmi dautres. Il a alors été montré que lajustement des paramètres physico-chimique, telles que le coefficient de transfert de charges (en O), la température doxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultat obtenus, en particulier, la composition chimique des oxydes à linterface SiO2/Si(100), la structure cristalline de loxyde natif sur le silicium, la rugosité et la distribution de des défauts en surface et de contraintes à linterface SiO2/Si.
Autorenporträt
Mademoiselle Anissa Ali-Messaoud est Maître de Conférences A à l'université de Blida 1. Les séjours scientifiques réalisés au LAAS-CNRS de Toulouse sur la modélisation et simulation, par la méthode KMC, de la croissance des couches minces,ont permis la réalisation de cette thèse de doctorat d'Etat en physique avec A. Esteve et A. Chikouche.
Herstellerkennzeichnung:
OmniScriptum SRL
Str. Armeneasca 28/1, office 1
2012 Chisinau
MD
E-Mail: info@omniscriptum.com
