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Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
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Springer Theses
| ISBN: | 3662570262 |
|---|---|
| ISBN 13: | 9783662570265 |
| Autor: | Li, Zhiqiang |
| Verlag: | Springer Verlag GmbH |
| Umfang: | xiv, 59 S., 3 s/w Illustr., 49 farbige Illustr., 59 p. 52 illus., 49 illus. in color. |
| Erscheinungsdatum: | 07.06.2018 |
| Auflage: | 1/2016 |
| Produktform: | Kartoniert |
| Einband: | Kartoniert |
Nominated as an Excellent Doctoral Dissertation by Peking University in 2014Proposes innovative methods for addressing the challenges in the source/drain engineering of germanium nMOSFETsExperimentally demonstrates the methods‘ effectiveness with regard to reducing parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFETsIncludes supplementary material: sn.pub/extras
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