SiC-BIFET

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Ein bipolarer SiC-Feldeffekttransistor für das Mittelspannungsnetz, Erlanger Berichte Mikroelektronik 2017,1

ISBN: 3844054561
ISBN 13: 9783844054569
Autor: Hürner, Andreas
Verlag: Shaker Verlag GmbH
Umfang: 199 S., 43 Illustr.
Erscheinungsdatum: 31.08.2017
Produktform: Kartoniert
Einband: Kartoniert
Artikelnummer: 2716839 Kategorie:

Beschreibung

Diese Arbeit befasst sich schwerpunktmäßig mit der Erforschung und Bewertung der Durchlasseigenschaften von 10kV-SiC-BIFETs mit einer nominellen Sperrfestigkeit von 10kV. Hierzu wurden 10kV-SiC-p-BIFETs mit p-dotiertem Kanal- und Driftgebiet und 10kV-SiC-n-BIFETs mit n-dotiertem Kanal- und Driftgebiet hergestellt und elektrisch charakterisiert. Es konnte dabei erstmals nachgewiesen werden, dass sich auch in einer Spannungsklasse von 10kV, mit diesem Bauelementkonzept eine für bipolare Leistungsschalter typische Modulation des Driftgebietes erreichen lässt.

Herstellerkennzeichnung:


Shaker Verlag GmbH
Am Langen Graben 15a
52353 Düren
DE

E-Mail: info@shaker.de

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