Beschreibung
Die meisten Forschungsarbeiten über den Stromverbrauch von Schaltkreisen konzentrierten sich auf die Schaltleistung, und die durch den Leckstrom verbrauchte Leistung war ein relativ unbedeutender Bereich. Bei den aktuellen VLSI-Prozessen wird der Sub-Threshold-Strom jedoch zu einem der wichtigsten Faktoren für den Stromverbrauch, insbesondere bei High-End-Speichern. Um die Leckleistung im SRAM zu reduzieren, kann die Power-Gating-Methode angewandt werden, und eine wichtige Technik des Power-Gating ist die Verwendung von Sleep-Transistoren zur Steuerung des Sub-Threshold-Stroms. In diesem Projekt werden doppelte Schwellenspannungen verwendet; normale SRAM-Zellen haben niedrigere Schwellenspannungen und die höheren Schwellenspannungen steuern die Sleep-Transistoren. Die Größe der Sleep-Transistoren kann anhand des Worst-Case-Stroms gewählt werden und wird auf jeden Block angewendet.
Autorenporträt
O Sr. Rajan Prasad Tripathi trabalha como Professor Assistente no Departamento de Engenharia Electrónica e de Comunicação, Amity School of Engineering and Technology. O Sr. Rahul Kumar Verma trabalha como Professor Assistente no Departamento de Engenharia Electrónica e de Comunicação, Escola de Engenharia e Tecnologia da Amity.
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