Beschreibung
Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanomaßstab, das drei ultradünne verspannte Schichten enthält: zwei äußere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schränken Quantenladungsträger wirksam ein, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.
Herstellerkennzeichnung:
OmniScriptum SRL
Str. Armeneasca 28/1, office 1
2012 Chisinau
MD
E-Mail: info@omniscriptum.com
