Beschreibung
Die in integrierten Schaltkreisen hergestellten Feldeffekttransistoren (FETs) bestehen zum größten Teil aus Übergängen. Aufgrund der Verkleinerung der Bauteile ist die Herstellung dieser Übergänge immer schwieriger geworden. Außerdem ist für das reibungslose Funktionieren des Bauelements ein hoher Dotierungskonzentrationsgradient zwingend erforderlich. In letzter Zeit konzentrieren sich die Forscher auf neue Bauelemente, die ohne Übergänge auskommen und keinen Dotierungsgradienten erfordern. Eine solche Struktur ist der übergangslose Doppel-Gate-MOSFET (JL-DG MOSFET), der eine verbesserte Leistung gegenüber Kurzkanaleffekten, d.h. Drain-induzierter Barrierensenkung (DIBL), Schwellenspannungsänderungen usw., gezeigt hat.
Autorenporträt
Gaurav Dhiman wurde 1981 in Pathankot, Indien, geboren. Er erhielt 2003 den B.Tech.-Abschluss in Elektronik und Kommunikationstechnik von der Punjab Technical University, Jalandhar, Indien, und 2011 und 2018 den M.Tech.- und Ph.D.-Abschluss in VLSI-Design von der Mody University of Science and Technology (MUST) Lakshmangarh, Rajasthan, Indien.
Herstellerkennzeichnung:
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