Beschreibung
Dans ce travail, nous présentons une étude expérimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopées au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des matériaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des propriétés optiques et des conditions dinteraction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une étude théorique sera dédiée au modèle danticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations expérimentales inhabituelles (diminution de lénergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et paramètre de courbure géant) suite à lincorporation de lazote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons létude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des résultats expérimentaux par photoluminescence.
Autorenporträt
Dr Nebiha Ben Sedrine est née à Tunis (Tunisie) et a obtenu son diplome de Doctorat en Physique Quantique en 2009. Son principal travail de recherche dans le domaine des sciences de matériaux porte sur les études structurales, optiques et électroniques de semiconducteurs III-V (avec nitrures et bismides), groupe III-N, TiO2, Si poreux et graphene.
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