Beschreibung
Lobjectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que lanalyse de leffet dincorporation des atomes dazote et dantimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique dépitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique dellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de larsenic dans GaAs avec de lazote et/ou avec lantimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition dalliage ainsi que de létat de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de loptoélectronique. Lanalyse des résultats ellipsométriques par lutilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique dAdachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de lalliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques.
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