Beschreibung
kummern. Das Skriptum besehrankt sieh aus Umfangsgrunden auf elektriseh gesteuerte Halbleiterbauelemente.
Autorenporträt
InhaltsangabeA Allgemeine Grundlagen elektronischer Halbleiterbauelemente.- 1 Grundprinzipien und Eigenschaften elektronischer Halbleiterbauelemente.- 1.1 Ladungsträger in Festkörpern.- 1.1.1 Bindungsmodell. Eigen- und Störhalbleiter.- 1.1.2 Bändermodell und Bandstruktur.- 1.2 Ströme und Ladungen in Halbleitern.- 1.2.1 Trägertransport.- 1.2.2 Kontinuität der Trägerströme.- 1.2.3 Trägervernichtung und -erzeugung.- 1.2.4 Ladungsträgertransportmechanismen an Grenzflächen.- 1.3 Raumladungen in Halbleitern. Poissonsche Gleichung.- 1.3.1 Poissonsche Gleichung.- 1.3.2 Raumladungsfall. Verarmungsnäherung. Raumladungsbegrenzter Stromfluß.- 1.3.3 Neutral-, Quasineutralfall.- 1.3.4 Örtliche und zeitliche Relaxation von Raumladungsstörungen.- 1.4 Grundgleichungen der inneren Elektronik von Halbleiterbauelementen.- 1.4.1 Quasiferminiveaus.- 1.4.2 Halbleitergrundgleichungen.- 1.4.3 Halbleiter mit räumlich veränderbarer Bandstruktur.- 1.5 Allgemeine elektrische Eigenschaften von Halbleiterbauelementen.- 1.5.1 Gleichstromverhalten.- 1.5.2 Kleinsignalverhalten.- 1.5.3 Impuls- und Schaltverhalten.- 1.5.4 Thermisches Verhalten.- 1.5.5 Rauschen.- 1.6 Bauelementebezeichnungen, Gehäuse.- B Grenzflächengesteuerte Halbleiterbauelemente.- 2 Grenzflächengesteuerte Zweipolbauelemente: Halbleiterdioden.- 2.1 pn-Übergang. Universal- und Richtdioden.- 2.1.1 Wirkprinzip. Elektrische Eigenschaften.- 2.1.1.1 Kennlinie.- 2.1.1.2 Dynamische Eigenschaften.- 2.1.1.3 Diodenmodell für die Schaltungssimulation.- 2.1.1.4 Diodenausführungsformen.- 2.1.2 Universal-, Richtdioden.- 2.1.3 Schaltdioden.- 2.1.4 Z-Dioden.- 2.1.5 Kapazitätsdioden.- 2.1.6 Tunneldiode.- 2.1.7 Leistungsgleichrichter, pin-, psn-Dioden.- 2.1.8 pin-Diode als Mikrowellenbauelement.- 2.2 Heteroübergänge.- 2.2.1 Arten von HeteroÜbergängen.- 2.2.2 Stromfluß durch Heteroübergänge.- 2.2.3 Anwendungen von Heteroübergängen.- 2.3 Metall-Halbleiter-übergang. Schottky-Diode.- 2.3.1 Kennlinie.- 2.3.2 Ohmscher Kontakt.- 2.4 Laufzeitgesteuerte Bauelemente. Impatt-Dioden.- 2.4.1 Laufzeitprinzip.- 2.4.2 Impatt-Diode.- 2.4.3 Tunnett-Diode.- 2.4.4 Baritt-Dioden.- 2.4.5 Qwitt-Diode.- 2.5 Weitere Diodenarten. Volumenbarrierendioden.- 3 Bipolartransistoren.- 3.1 Transistoreigenschaften.- 3.1.1 Kennlinien.- 3.1.2 Der Basisraum.- 3.1.3 Bipolartransistormodelle.- 3.1.4 Kleinsignalverhalten. Ersatzschaltung.- 3.1.5 Bau- und Ausführungsformen.- 3.1.6 Universaltransistoren kleiner Leistung.- 3.1.7 Mikrowellentransistoren.- 3.1.8 Schalttransistoren.- 3.2 Leistungstransistoren.- 3.2.1 Leistungstransistoren für tiefe Frequenzen.- 3.2.2 Hochfrequenz- und Mikrowellenleistungstransistoren.- 3.2.3 Verbundtransistoren.- 3.3 Sonderformen von Bipolartransistoren.- 3.3.1 Hetero-Bipolartransistor.- 3.3.2 Unijunctiontransistor, Doppelbasisdiode.- 3.3.3 Permeable Base-Transistor.- 4 Thyristoren. Diacs, Triacs.- 4.1 Thyristor.- 4.1.1 Kennlinien. Eigenschaften.- 4.1.2 Bauformen.- 4.1.3 Sonderformen von Thyristoren.- 4.2 Diac und Triac.- 4.2.1 Diac.- 4.2.2 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.3 Thyristoren und Triacs im Grundstromkreis.- 4.3.1 Beschaltungsmaßnahmen.- 4.3.2 Zündschaltungen.- 4.3.3 Abschalten des Thyristors.- 4.3.4 Anwendungen.- 4.3.5 Vergleich von Leistungshalbleiterbauelementen.- 5 Feldeffekttransistoren.- 5.1 Sperrschichtfeldeffekttransitor.- 5.1.1 Wirkprinzip. Kennliniengleichung.- 5.1.2 Kleinsignal- und Hochfrequenzverhalten.- 5.1.3 Transistormodelle.- 5.1.4 Bauformen.- 5.1.5 Leistungs-Sperrschichtfeldeffekttransistor.- 5.2 Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren.- 5.3 Selektiv dotierte Heterofeldeffekttransistoren, HEMT.- 5.4 Anwendungen, Vergleich verschiedener Transistorarten.- 6 MIS-Feldeffektbauelemente.- 6.1 MOS-Kondensator.- 6.1.1 Wirkprinzip.- 6.1.2 MIS-Bauelemente.- 6.2 MOS-Feldeffekttransistor.- 6.2.1 Wirkprinzip. Aufbau.- 6.2.2 Statische Eigenschaften. Kennlinien.- 6.2.3 Kleinsignal-, Hochfrequenzverhalten. Ersatzschaltung.- 6.2.4 MOSFET-Modelle.- 6.2.5 Bau und Ausführungsformen.- 6.3 MOS-Leistungstransistoren.- 6.3.1 Ausführungsfor
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