Beschreibung
In den letzten zehn Jahren stand das energiesparende, energieeffiziente Very Large Scale Integration Design im Mittelpunkt der aktiven Forschung und Entwicklung. Die schnelle Skalierung der Technologie, die wachsende Integrationskapazität und die Verlustleistung sind die Faktoren, die dazu beitragen, dass die Komplexität des modernen VLSI-Designs zunimmt. Spannungsskalierung ist eine der effizientesten Methoden zur Reduzierung von Leistung und Energie in VLSI-Schaltkreisen. Aufgrund der reduzierten Schwellenspannung wird die Schaltgeschwindigkeit schneller, der aktive Leckstrom wird erhöht. Es ist eine Technik zur dynamischen Verwaltung des aktiven Leckstroms erforderlich, die die Energiedissipation in VLSI-Schaltungen bei verschiedenen Schaltungen mit unterschiedlichem Komplexitätsgrad reduziert. Wenn die Technologie in den tiefen Submikrometerbereich skaliert, steigt die Subschwellen-Leckleistung exponentiell mit der Reduzierung der Schwellenspannung. Daher werden effektive Techniken zur Leckage- und dynamischen Leistungsminimierung notwendig.
Autorenporträt
Dr.Dayadi.Lakshmaiah professor de eletrônica e engenharia de comunicação, está atualmente no Instituto de Engenharia e Tecnologia do Sri Indu, Hyderabad, Índia. Ele obteve o seu doutorado em JNTUK, kakinada. Estudou M.Tech JNTU anantapur (campus), recebeu seu B.Tech do Instituto Nacional de Tecnologia Warangal (RECW), e tem um diploma de doutorado em engenharia eletrônica e de comunicação.
