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Herstellerkennzeichnung:
Fraunhofer IRB Verlag
k.A.
Nobelstr. 12
70569 Stuttgart
DE
E-Mail: irb@irb.fraunhofer.de
Millimeter-Wave High-Efficiency Doherty Power Amplifiers in Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor Technology
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| ISBN: | 3839621631 |
|---|---|
| ISBN 13: | 9783839621639 |
| Autor: | Safari Mugisho, Moïse |
| Herausgeber: | Fraunhofer IAF Freiburg |
| Verlag: | Fraunhofer IRB Verlag |
| Umfang: | 282 S. |
| Erscheinungsdatum: | 04.02.2026 |
| Auflage: | 1/2026 |
| Produktform: | Kartoniert |
| Einband: | Kartoniert |
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