Einführung in die Halbleiterphysik

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Wissenschaftliche Forschungsberichte 68

ISBN: 3798501726
ISBN 13: 9783798501720
Autor: Müser, Helmut A
Verlag: Steinkopff, Dietrich Verlag
Umfang: xvi, 237 S., 2 s/w Illustr., 237 S. 2 Abb.
Erscheinungsdatum: 01.01.1960
Auflage: 1/1960
Produktform: Kartoniert
Einband: KT

Wissenschaftliche Forschungsberichte, Reihe I, Abt. A., Band 68

Artikelnummer: 5453083 Kategorie:

Beschreibung

IN DIE HALBLEITERPHYSIK Von DR. HELMUT A. MÜSER apl. Professor an der Johann-Wolfgang-Goethe-Universität in Frankfurt am Main Mit 35 Abbildungen in 46 Einzeldarstellungen und 2 Tabellen DR. DIETRICH STEINKOPFF VERLAG DARM STADT 1960 ISBN 978-3-7985-0172-0 ISBN 978-3-642-93653-l(eBook) DOI 10.1007/978-3-642-93653-1 Alle Rechte vorbehalten Kein Teil dieses Buches darf in irgendeiner Form (durch Fotokopie. Mikrofilm oder ein anderes Verfahren) ohne Achriftliche Genehmigung des Verlages reproduziert werden. Copyright 1960 by Dr. Dietrich Steinkopff, Darmstadt Softcover reprint of the hardcover 18t edition 1960 Z weck und Ziel der Sammlung Als RAPHAEL EDUARD LIESEGANG am 13. November 1947 starb, lagen 57 Bände der Sammlung vor, die er gegründet und mehr als ein Viertel­ jahrhundert lang herausgegeben hatte. Brücken zu schlagen zwischen den einzelnen Teilgebieten von Natur­ wissenschaft und Medizin, ist das Ziel der "Wissenschaftlichen For­ schungsberichte". Schon unter LIESEGANGS Herausgeberschaft wandelten und erweiterten sich Charakter und Absichten der Sammlung. Die ersten Bände erfaßten in Form kritischer Sammelreferate die Literatur einzelner Disziplinen aus der Zeit des ersten Weltkriegs. Später folgten monographi­ sche Darstellungen junger, inzwischen selbständig gewordener Zweige der Wissenschaft und neuer Methoden, die auf vielen Teilgebieten natur­ wissenschaftlicher Forschung allgemeine Bedeutung erlangt hatten. Verlag und Herausgeber bemühen sich, die "Wissenschaftlichen For­ schungsberichte" im Geiste LIESEGANGS weiterzuführen, und sie sind überzeugt, daß der Sinn dieser Tradition gerade darin besteht, die Samm­ lung so lebendig und wandlungsfähig zu erhalten, daß sie die Forderungen des Tages zu erfüllen vermag.

Autorenporträt

InhaltsangabeKap. 1. Der idealisierte Halbleiter.- 1.0 Allgemeines.- 1.1 Das freie Elektron.- 1.2 Das Elektron im Potentialtopf.- 1.3 Das Elektron im periodischen Potential.- 1.4 Die Besetzung der Elektronenzustände.- 1.5 Die Besetzung der obersten Energiebänder; Fermi - Statistik.- Kap. 2. Der Halbleiter mit Störstellen.- 2.0 Allgemeines.- 2.1 Störungen im regelmäßigen Kristallbau.- 2.2 Der Störhalbleiter im Bändermodell.- 2.3 Elektron und Störstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion.- 2.3,1 Die Symbolik der Störstellenchemie (mit Beispielen).- 2.3,2 Eigenstörstellen.- 2.3,3 Farbzentren und verwandte Störstellen.- 2.4 Die wichtigsten Störstellenarten.- Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einfluß der Temperatur.- 3.0 Allgemeines.- 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons.- 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons.- 3.2,1 Scheinmasse; Äquivalenz von Elektron und Defektelektron.- 3.2,2 Beweglichkeit, Relaxationszeit und freie Weglänge.- 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes.- 3.3,1 Der Hall-Effekt.- 3.3,2 Die Zyklotron-Resonanz.- 3.4 Der Einfluß der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften.- Kap. 4. Die Halbleiteroberfläche.- 4.0 Allgemeines.- 4.1 Die freie Oberfläche.- 4.1,1 Der allgemeine Ansatz zur Berechnung der Potentialverteilung.- 4.1,2 Quantitative Berechnung der Potentialverteilung für einen speziellen Halbleitertyp.- 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern.- 4.2,1 Der Kontakt Halbleiter-Metall.- 4.2,2 Der Kontakt Halbleiter-Halbleiter.- Kap. 5. Der Halbleiter mit gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.0 Allgemeines.- 5.0,1 Ein allgemeines Gleichungssystem.- 5.0,2 Lebensdauer und Diffusionslänge.- 5.1 Die p-n-Grenze.- 5.1,1 Der Gleichrichter.- 5.1,2 Der Transistor.- 5.2 Die Thermospannung.- 5.3 Der innere Photoeffekt.- 5.3,1 Der Photowiderstand.- 5.3,2 Das Photoelement.- 5.4 Die Oberfläche bei gestörtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.4,1 Die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit.- 5.4,2 Die effektive Lebensdauer.- Kap. 6. Die Messung der Halbleiterkonstanten.- 6.0 Allgemeines.- 6.1 Der Bandabstand.- 6.1,1 Optische Methoden zur Messung des Bandabstandes.- 6.1,1,1 Bestimmung des Bandabstandes aus dem spektralen Verlauf der Absorptionskonstanten.- 6.1,1,2 Bestimmung des Bandabstandes aus dem spektralen Verlauf der Photoleitung.- 6.1,2 Bestimmung des Bandabstandes aus der Temperaturabhängigkeit der Elektronenkonzentration.- 6.2 Konzentration und energetische Lage von Störstellen.- 6.3 Die Beweglichkeit.- 6.3,1 Die Hallbeweglichkeit.- 6.3,2 Die Driftbeweglichkeit.- 6.3,3 Leitfähigkeitsbeweglichkeit und Photobeweglichkeit.- 6.4 Bestimmung der Scheinmasse.- 6.4,1 Die Methode der Zyklotron-Resonanz.- 6.4,2 Die Methode der magnetischen Widerstandsänderung.- 6.5 Die charakteristischen Zeiten.- 6.5,1 Die Relaxationszeit.- 6.5,2 Die Lebensdauer.- 6.6 Die Diffusionslänge.- Literatur.

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