Beschreibung
der Wirkungsprinzipien von Diode, Transistor und Thyristor. Die Halblei terphysik an sich ist ein mehrbändiges Werk wert; hier wird die quantitative Beschreibung der Phänomene jedoch nur in dem Umfang durchgeführt, der für eine wissenschaftlich halbwegs exakte Beschreibung noch tolerabel erscheint. Der Anwender in der Praxis muß zwar mit den physikalischen Grundlagen des Leitungsmechanismus elektronischer Bauelemente ausreichend vertraut sein, ihn interessieren aber in erster Linie die Größen, die er den Datenbüchern der Hersteller entnehmen kann, nämlich Gleich- und Wechselstromeigenschaften sowie Grenzwerte. Sie werden in den speziellen Kapiteln ausführlich behandelt. Die Einteilung der Halbleiterbauelemente in den weiteren Kapiteln er folgt zum einen nach der Anzahl der vorhandenen PN-Übergänge (homogenes und/oder polykristallines Material, Dioden, Transistoren und Vierschichtbau elemente, z. B. Thyristoren) und zum anderen nach den Steuerungsprinzip. Dieses Schema hat sich gut bewährt. Der Studierende soll als angehender Ingenieur in die Lage versetzt werden, Schaltungen selbst zu dimensionieren, wobei sich die wesentliche Schwierig keit erfahrungsgemäß immer dann ergibt, wenn zwar das Verständnis für die Funktionsweise der Schaltungen im Prinzip vorhanden ist, bei der praktischen Realisierung - allein schon hinsichtlich der Wahl geeigneter Komponenten große Unsicherheiten auftreten. Eines vermag dieses Werk nicht zu geben: "Kochrezepte" oder Bastelanwei sungen für spezielle Anwendungen, wie es häufig von Studierenden gewünscht wird, die nicht in der Lage sind, den Kern des Problems zu erkennen und das wesentliche vom exemplarischen Einzelfall zu abstrahieren.
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