Beschreibung
Die vorliegende Arbeit widmet sich der thermodynamischen Analyse der physikochemischen Prozesse des Wachstums von epitaktischen Schichten der Halbleiterverbindung Ga2Se3 aus der Gasphase im Strömungssystem Ga - Se - Cl - H und der Modellierung technologischer Prozesse zur Vorhersage möglicher technologischer Varianten und zur Bestimmung optimaler Bedingungen für die Synthese dieser Verbindung. Es werden die Ergebnisse der Forschungen nach der Bestimmung und Berechnung der thermodynamischen Parameter der einzelnen Stoffe des Systems Ga - Se - Cl - H für ihre Verwendung bei der thermodynamischen Modellierung der Prozesse des Wachstums der epitaktischen Schichten von Ga2Se3 aus der Gasphase gegeben. Der Zusammenhang zwischen thermodynamischen Variablen und technologischen Parametern des Ga2Se3-Syntheseprozesses in einem offenen Reaktortyp mit getrennten Gallium- und Selenquellen wird untersucht. Es wird das Schema der Berechnung der technologischen Parameter des Prozesses des Aufwachsens der epitaktischen Schichten von Ga2Se3 im Strömungsgastransportsystem mit getrennten Quellen von Gallium und Selen dargestellt.
Autorenporträt
Rahman Agamirza oglu Bakhyshov è nato in Azerbaigian nel 1950. Si è laureato all'Istituto Pedagogico dell'Azerbaigian con una laurea in fisica nel 1971. Nel 1989 ha difeso la sua tesi di dottorato sulla fisica dei semiconduttori e del dielettrico. Attualmente lavoro all'Accademia Nazionale dell'Aviazione.
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