Beschreibung
En particular, el estudio se enfoca en un modelo matemático, que representa el control del Factor de Landé electrónico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropía de las bandas de conducción y de valencia se consideran mediante la utilización del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Landé del sistema como función del campo magnético variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos.
Autorenporträt
Física y Magister. Docente Investigadora del Instituto Tecnológico Metropolitano de la ciudad de Medellín. Amplia experiencia docente en las áreas de Ciencias Básicas y Aplicadas.
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