Beschreibung
Ce travail concerne le développement et lévaluation de nitrures déléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). Lobjectif de notre travail était la réalisation et létude dhétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue dévaluer leurs potentialités pour deux types dapplications. La première concerne les microcavités destinées à létude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D délectrons. Le chapitre I est consacré à la description dun procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, Létude des propriétés électriques et optiques dhétérostructures (Al,Ga)N/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures déléments III.
Autorenporträt
Franck received his M.Sc. degree (2000) in Electronic Engineering from the University of Bordeaux, France, and his PhD degree in physics from the University of Nice, France (2003). He is currently a Senior Lecturer of Physics at the School of Chemical and Physical Sciences, Victoria University of Wellington, New Zealand.
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