Beschreibung
Cette étude est une tentative dépitaxie par ablation laser de loxyde de forte permittivité Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de lintégration de condensateurs de forte capacité. Nous montrons dabord leffet bénéfique dune croissance de BST orientée selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivité du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0
Autorenporträt
Ludovic Goux est Docteur en Sciences de l'Ingénieur (Tours, 2002) et Habilité à Diriger des Recherches (Aix-Marseille, 2013). Depuis 2002 il explore et développe principalement des mémoires électroniques émergentes (FRAM, PCRAM, RRAM,...) au sein du centre IMEC de Leuven. Il est (co-)auteur de 150 publications scientifiques internationales.
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![Produktbild: Effect Of Preparation Conditions On The [Pb, La]TIO3 Ceramics](http://medien.umbreitkatalog.de/bildzentrale/978/365/914/0648.jpg)






























































































