Arbeitsspeicher für Digitalrechner

Lieferzeit: Lieferbar innerhalb 14 Tagen

54,99 

Hochschultext

ISBN: 3540069283
ISBN 13: 9783540069287
Autor: Seitzer, D
Verlag: Springer Verlag GmbH
Umfang: viii, 168 S., 21 s/w Illustr., 168 S. 21 Abb.
Erscheinungsdatum: 27.01.1975
Auflage: 1/1975
Produktform: Kartoniert
Einband: Kartoniert
Artikelnummer: 4376012 Kategorie:

Beschreibung

Das Buch enthält den Stoff einer einsernestrigen Vorlesung von 2 Seme­ sterwochenstunden für Studenten der Elektrotechnik des 7. Semesters. Damit sind der Umfang gegeben und die Voraussetzungen, mit denen ge­ rechnet wird, d. h. es werden Kenntnisse der physikalischen Grundlagen von Halbleiterbauelementen, deren Herstellung und Eigenschaften sowie der Schaltungsanalyse vorausgesetzt. Es ist die hauptsächliche Absicht von Vorlesung und Lehrbuch, zu einem Verständnis für den Zusammenhang zwischen den Eigenschaften des Spei­ cherelementes (Ferritkern, Halbleiterkippstufe) und den Kenndaten eines Speichers als Systembaustein hinzuführen. Die dazu notwendigen Begr- fe und Kennwerte werden im ersten Abschnitt eingeführt. In den nächsten Abschnitten folgen die einzelnen Speichertechniken. Dabei sollen im Haupt­ teil jeweils die Wirkungsweise typischer Ausführungsformen nahegebracht werden und als Ergänzung und Abrundung einige Sonderbauformen mit den Vor- und Nachteilen gegenüber der Standardtechnik Platz finden, haupt­ sächlich in der Absicht, eine Vorstellung zu geben von der Breite der Möglichkeiten, aber auch vom Aufwand, um bestimmte Eigenschaften zu er­ zielen. Der Speicherperipherie ist ein getrennter Abschnitt gewidmet, einmal deswegen, weil ihr im Zusammenspiel zwischen Speicherelernent, Gesamtspeicher und Rechenanlage eine besondere Bedeutung zukommt, an­ dererseits, weil sie in modifizierter Form bei allen Speicherverfahren wiederkehrt und oft ausschlaggebend die Wirtschaftlichkeit beeinflußt. Im Interesse einer lehrhaften Behandlung des Stoffes entspricht der Um­ fang eines Kapitels nicht unbedingt dessen augenblicklicher technischer Bedeutung.

Autorenporträt

Inhaltsangabe1. Überblick.- 1.1 Einleitung und Abgrenzung.- 1.2 Leistungsparameter und Kenngrößen von Speichern.- 1.3 Kenngrößen von Speicherelementen.- 1.4 Schrifttum zu Abschnitt 1.- 2. Ferritkernspeicher.- 2.1 Einleitung.- 2.2 Magnetische Größen und Erscheinungen.- 2.3 Der Ferritkern als Speicherelement.- 2.4 Organisation von Ferritkernspeichern.- 2.4.1 2D-Speicher.- 2.4.2 3D-Speicher.- 2.4.3 2 1/2D-Speicher.- 2.5 Sonderformen von Ferritspeicherelementen.- 2.5.1 Biax-Speicher.- 2.5.2 Das Verfahren mit zwei Kernen pro Bit.- 2.5.3 Flute-Speicher.- 2.5.4 Laminated ferrites (Schichtplattenspeicher).- 2.6 Schrifttum zu Abschnitt 2.- 3. Magnetschichtspeicher.- 3.1 Die ebene Magnetschicht als Speicherelement.- 3.2 Spezielle Probleme des Magnetschichtspeichers.- 3.3 Sonderformen von Magnetschichtspeichern.- 3.3.1 Gekoppelte Filme.- 3.3.2 Zylindrische Filmspeicher (Drahtspeicher).- 3.3.3 Plated-wire-memory.- 3.3.4 Twistor-Speicher.- 3.4 Schrifttum zu Abschnitt 3.- 4. Speicherperipherie.- 4.1 Speisung der Ansteuerleitungen.- 4.1.1 Wählerkerne.- 4.1.2 Matrix erster Art.- 4.1.3 Matrix zweiter Art.- 4.1.4 Lastverteilende Matrizen.- 4.1.5 Matrix erster Art mit einem Transistor pro Leitung.- 4.1.6 Gruppenauswahl mit Dioden an einem Leitungsende.- 4.1.7 Bipolare Ströme mit Hilfe von einem Übertrager.- 4.2 Der Lesekanal.- 4.3 Zusammenfassung.- 4.4 Schrifttum zu Abschnitt 4.- 5. Halbleiterspeicher.- 5.1 Einleitung.- 5.2 Speicher mit wahlfreiem Zugriff.- 5.2.1 Statische Speicherzellen.- 5.2.1.1 Die Multiemitter-Zelle.- 5.2.1.2 Die Zelle mit Schottky-Dioden-Kopplung.- 5.2.1.3 Die statische MOS-Zelle.- 5.2.2 Dynamische Speicher.- 5.2.2.1 Dynamische 3-Transistor-Zelle.- 5.2.2.2 Dynamische 1-Transistor-Zelle.- 5.2.3 Speicherorganisation.- 5.2.4 Weiterentwicklungen.- 5.2.4.1 Statische Bipolarzelle mit "Injektionskopplung".- 5.2.4.2 Varianten der MOS-Technik.- 5.3 Serielle Speicher.- 5.3.1 Laufzeitspeicher.- 5.3.2 Statische Schieberegister.- 5.3.3 Dynamische Schieberegister.- 5.3.3.1 Das dynamische Vierphasen-Schieberegister.- 5.3.3.2 Das dynamische Zweiphasen-Schieberegister.- 5.3.4 Die Eimerkette.- 5.3.5 Ladungsgekoppelte Schiebespeicher.- 5.4 Festwertspeicher.- 5.4.1 Irreversible Festwertspeicher.- 5.4.2 Reversible Festwertspeicher.- 5.4.2.1 Der MNOS-Transistor.- 5.4.2.2 Der FAMOS-Transistor.- 5.4.2.3 Speicher aus halbleitendem Glas.- 5.4.3 Daten für Festwertspeicher.- 5.5 Assoziative Speicher.- 5.6 Zusammenfassung.- 5.7 Schrifttum zu Abschnitt 5.- 6. Ergänzungen in Richtung Massenspeicher.- 6.1 Schrifttum zu Abschnitt 6.

Herstellerkennzeichnung:


Springer Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

E-Mail: juergen.hartmann@springer.com

Das könnte Ihnen auch gefallen …